很多網友有一個嚴重的錯覺:有了所謂28納米浸沒式光刻機,就可以通過多重曝光生産7納米甚至5納米芯片。
實際上二十年前,也就是2003年,ASML推出第一代浸沒式DUV光刻機的時候,其目标是45納米節點邏輯芯片。包括當年推出的浸沒式DUV預生産型号™ XT:1250i。
之後,ASML以大約2年一代的速度對浸沒式DUV光刻機進行叠代,不斷在光源、光學系統、套刻精度、溫控等系統進行升級,這才逐漸提升到32-28納米節點、20-16納米節點、10納米節點、7納米節點、5納米節點。
目前ASML的最新浸沒式光刻機型号已經到了NXT:2050i,而正準備推出的下一代更新的系統。
所以20年前的第一代浸沒式光刻機的多重曝光也不可能實現14納米以下節點所需精度。
值得一提的是,20年前,ASML是在其成熟的幹式DUV光刻機平台上升級出來的浸沒式光刻系統,也就是說它是完完全全的工業叠代,用了20年時間把浸沒式光刻做到5-7納米邏輯芯片的生産精度。
我們怎麼可能指望大學和研究所的試驗品能達到世界最頂級的光刻機企業叠代20年的工業産品的能力?
目前我國的光刻機國産水平可能停留在90納米水平,但是這個是試驗機型,有沒有經過大批量工業實踐,仍然是個巨大的疑問。所以想跨過工業實踐積累,直接從90納米跳過幹式ArF DUV光刻機,實現28納米浸沒式光刻機,本身就不是一個符合客觀規律的發展路線;而期望第一套試驗型浸沒式28納米光刻機能夠完成多重曝光達到14納米以下制程,幾乎是不可能的事情。
有話要說...