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半導體失效分析測試項目詳解

湖北疫情嚴重,全國進入一級響應狀态,多數企業采取線上辦公方式,不能去單位,很多事情會受到影響,不如趁機做些能做的事,充充電什麼的,在家就能做,不用戴口罩,安全方便。下面小編為大家整理了常用的芯片失效分析方法,歡迎留言探讨。

1、金相顯微鏡/體式顯微鏡:提供樣品的顯微圖像觀測,拍照和測量等服務,顯微倍率從10倍~1000倍不等,并有明場和暗場切換功能,可根據樣品實際情況和關注區域情況自由調節

2、RIE等離子反應刻蝕機:提供芯片的各向異性刻蝕功能,配備CF4輔助氣體,可以在保護樣品金屬結構的前提下,快速刻蝕芯片表面封裝的鎢,鎢化钛,二氧化矽,膠等材料,保護層結構,以輔助其他設備後續實驗的進行

3、自動研磨機:提供樣品的減薄,斷面研磨,抛光,定點去層服務,自動研磨設備相比手動研磨而言,效率更高,受力更精準,使用原廠配套夾具加工樣品無需進行注塑,方便後續其他實驗的進行

4、高速切割機:部分芯片需要進行剖面分析,此時可使用制樣切割工具,先用樹脂将被測樣品包裹和固定,再使用可換刀頭的高速切割機切割樣品使用夾具固定待切割樣品,确定切割位置後進行切割,同時向切割刀片噴淋冷卻液。提供PCB或其他類似材料的切割服務,樣品樹脂注塑服務

5、微漏電偵測系統(EMMI):微光顯微鏡(Emission Microscope),主要偵測芯片加電

後内部模塊失效所釋放出的光子,可被觀測的失效缺陷包括漏電結(Junction Leakage)、接觸毛刺(Contact Spiking)、熱電子效應(Hot Electrons)、闩鎖效應(Latch-Up)、多晶矽晶須(Poly-Silicon Filaments)、襯底損傷(Substrate Damage)、物理損傷(Mechanical Damage)

6、點針工作台:提供芯片或其他産品的微區電信号引出功能,支持微米級的測試點信号引出或施加,配備硬探針和牛毛針,可根據樣品實際情況自由搭配使用,外接設備可自由搭配,如示波器,電源等,同時探針台提供樣品細節可視化功能,協助芯片設計人員對失效芯片進行分析在顯微鏡的輔助下,使用探針接觸芯片管腳,給芯片加電,觀察芯片加電後的功耗表現

7、X-ray/CT:提供芯片或其他産品的内部透視圖像或模型,X-ray圖像分辨率最高可達微米級,可在不破壞樣品的前提下觀測樣品内部結構,空洞缺陷等信息,CT服務為基于X-ray圖像的3D重構模型,可以更加靈活的對樣品進行逐層掃描

8、激光開封:使用高能量激光光束照射待開封的芯片表面,利用激光的高溫燒蝕去除芯片表面覆蓋的環氧樹脂等物質使用激光開封後,待測芯片的管腳和引線被暴露出來,為後續連線或加電測試做好準備工作

9、IV曲線追蹤儀:提供芯片的二極管曲線繪制功能,提供基礎的正負極加電方式,如與現有夾具匹配之芯片還可提供快速批量測試,引腳自定義分組進行二極管特性測試

10、FIB/SEM/EDX:配合掃描式電子顯微鏡(SEM)使用,用強電流離子束有選擇性的剝除金屬、氧化矽層或沉積金屬層,以完成微、納米級表面形貌加工。提供樣品微區的幾何加工服務,使用镓離子對樣品進行轟擊,達到微區加工的目的,加工範圍一般為幾十立方微米~1立方微米之間,利用雙束切換系統,可在不移動樣品的前提下對加工後的區域進行高分辨率的SEM成像提供表層線路修改服務,通過FIB和PT沉積功能組合達到線路修改的目的提供樣品微區的元素構成分析服務,針對樣品特定區域進行電子掃描,單位掃描區域約為10立方微米(含深度),可使用點掃,面掃,線掃,MAP等不同呈現方式對樣品進行元素構成分析

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